标题:Ag掺杂对新型SnO_2压敏材料的电学性质的影响
作者:王矜奉;陈洪存;王文新;苏文斌;臧国忠;亓鹏;王春明;赵春华;高建鲁
作者机构:[王矜奉] 山东大学物理与微电子学院, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[陈洪存] 山东大学物理与微电子学院, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山 更多
来源:功能材料
出版年:2003
卷:34
期:6
页码:685-686+689
关键词:氧化银; 二氧化锡; 势垒; 电学非线性
摘要:烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的。为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO_2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO_2 + 1.50% CoCl_2·6H_2O + 0.10% Nb_2O_5 + x% Ag_2O(x = 0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验。当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co,Nb)掺杂SnO_2压敏电阻的击穿电压从 349 V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560。晶界势垒高度测量揭示,SnO_2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急 剧增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Ag掺杂质量增加引起SnO_2晶粒减小的根源进行了解释。
收录类别:CSCD
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=GNCL200306028&DbName=CJFQ2003
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