标题:GZO厚度对非晶硅电池中复合背电极的影响
作者:辛艳青; 孙珲; 郑小龙; 魏丛丛; 吕英波; 宋淑梅
作者机构:[辛艳青]山东大学空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国;[孙珲]山东大学空间科学与物理学院, 威海, 山东 264209, 中国;[郑小龙]山东大学空间科学与物理学 更多
通讯作者:Sun, H(huisun@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Sun, H] School of Space Science and Physics, Shandong UniversityChina;
来源:材料科学与工艺
出版年:2019
卷:27
期:5
页码:73-77
DOI:10.11951/j.issn.1005-0299.20180135
关键词:复合背电极; 非晶硅太阳能电池; 磁控溅射; 填充因子
摘要:在非晶硅太阳能电池中加入复合背电极是提高非晶硅太阳能电池光电转换效率和稳定性的有效手段.本文利用磁控溅射技术在非晶硅薄膜太阳能电池上制备了ZnO; ∶; Ga(GZO)/Al复合背电极,研究了GZO厚度对GZO薄膜光电性质及非晶硅电池中GZO/Al复合背电极性能的影响.研究表明:随着GZO层厚度的; 增加,GZO薄膜的光电性质均表现出较高水平,适合制备GZO/Al复合背电极;相较于单层Al背电极的非晶硅太阳能电池,具有GZO/Al复合背电极的; 太阳能电池性能大幅提高.当GZO层厚度为100 nm时,太阳能电池的短路电流(I_(SC)); 、开路电压(V_(OC))和填充因子(FF)分别达到8.66 mA,1.62 V和54.7%.
收录类别:CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85075627511&doi=10.11951%2fj.issn.1005-0299.20180135&partnerID=40&md5=041dd0bfbeffd99ed13389403185d9f6
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