标题:氧化镓单晶的生长技术研究
作者:穆文祥;贾志泰;尹延如;陶绪堂;
作者机构:[穆文祥;贾志泰;尹延如;陶绪堂]山东大学
会议名称:第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
来源:第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
出版年:2015
关键词:氧化镓;宽禁带半导体;透明导电材料
摘要:氧化镓(β-Ga_2O_3)晶体被认为是一种新型的第四代宽禁带半导体材料[1],禁带宽度4.8-4.9eV,具有透明导电、与GaN晶格失配小、成本低等优点,在深紫外光电器件、LED、功率器件等领域有重大应用前景[2],近年来受到了越来越多的国内外研究者的注意。德国和日本科学家已经分别通过提拉法和导模法生长得到了两英寸β-Ga2O3单晶[2,3],此外,日本科学家还在氧化镓衬底上制作了LED和场效应晶体管,证明氧化镓是高亮度LED和高耐压功率器件的理想衬底材料[4]。目前,我们已分别使用导模法和提拉法生长1英寸β-Ga_2O_3单晶,摇摆曲线半峰宽可达43.2 arcsec,晶体质量良好。初步探...
资源类型:会议论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=EUGQ201508002084&DbName=CPFD2015
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