标题:热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟
作者:张向宇;关小军;潘忠奔;张怀金;曾庆凯;王进
作者机构:[张向宇] 山东大学材料科学与工程学院, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250061, 中国.;[关小军] 山东大学材料科学与工程学院, 晶体材料国家重点实验室, 济南 更多
通讯作者:Guan, XJ(guanxj2003@126.com)
通讯作者地址:[Guan, X.-J] School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan 250061, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2014
卷:43
期:4
页码:771-777
关键词:直拉硅单晶; 有限元; 热屏位置; 原生点缺陷; 热应力
摘要:为了研究热屏位置对Phi200mm直拉硅单晶V/G、原生点缺陷浓度场以及热应力场的影响,使用CGSim有限元模拟软件进行了系统模拟。结果表明:热 屏位置对硅单晶的V/G和原生点缺陷浓度的径向分布规律没有影响;较热屏至晶体侧表面距离相比,其底端至熔体表面距离的影响更大,即随着它的增加,V/G 值沿径向普遍增大且由内向外变化程度增强,晶体心部高浓度空位区扩大,最大热应力减小。合理控制热屏底端至熔体表面的距离可有效改善晶体质量。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:4
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84901622883&partnerID=40&md5=f3ce93ae1b6726d3580b1c5468ca91a2
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