标题:低压MOCVD生长TiO_2薄膜结构和电性能研究
作者:许效红;王民;侯云;王栋;王弘;王卓
作者机构:[许效红] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[王民] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[侯云] 山东大学, 更多
通讯作者地址:[Xu, X.-H] Lab. of Crystal Mat., Shandong Univ., Ji'nan 250100, China
来源:功能材料
出版年:2002
卷:33
期:3
页码:312-314
关键词:金属有机化学气相沉积; TiO_2薄膜; 金红石
摘要:采用低压MOCVD法沉积生长了TiO_2薄膜,研究了Si衬底取向、退火温度、退火温度、退火时间、退火气氛对其结构和电性能的影响。结果表明,500 ℃下沉积生长于Si(111)和Si(100)上的TiO_2薄膜为锐钛矿相多晶膜,经过600 ℃以上退火处理后,均可转变为纯金红石相结构。其中,Si(111)上的TiO_2薄膜更容易转变为金红石相结构,而Si(100)上的TiO_2薄膜, 需要更高的退火温度和更长的退火时间才能转变为金红石结构。结果还表明,退火气氛中的氧分压的大小对TiO_2薄膜的结构无明显的影响。
收录类别:CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-0036620966&partnerID=40&md5=9a87ee007a5d01c65de851196cc98246
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