标题:SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展
作者:郁万成;陈秀芳;胡小波;徐现刚
作者机构:[郁万成] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[陈秀芳] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[胡小波] 山东大 更多
通讯作者:Chen, XF(cxiufang365@126.com)
通讯作者地址:[Chen, X.-F] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong UniversityChina;
来源:人工晶体学报
出版年:2016
卷:45
期:1
页码:1-9+14
关键词:石墨烯; 碳化硅; 近自由态
摘要:石墨烯材料自问世以来,一直处于学界研究的焦点,在微电子器件领域,通过SiC衬底制备的近自由态石墨烯具有较大的应用潜力。本文介绍了SiC热解法制备 石墨烯的优势与劣势,说明了近自由态石墨烯制备的原因。综合阐述了目前制备近自由态石墨烯的常用方法,并对比了各种制备方法的特点。最后,概述了近自由态 石墨烯的常用表征手段。
收录类别:CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85009343999&partnerID=40&md5=f70a97a23fde8fa4e5dc85abdb016257
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