标题:4He沟道分析弯曲晶体中辐射缺陷的分离现象
作者:王广厚;丛培杰;吉卜逊;孙至锐;金一哲;赛尔姆;皮施尔迪;贝克尔;卡雷根;
作者机构:[王广厚]南京大学物理系;[丛培杰]山东大学物理系;[吉卜逊]美国纽约州立大学(奥尔巴尼)物理系;[孙至锐]美国纽约州立大学(奥尔巴尼)物理系;[金一哲]美国纽约州立大 更多
会议名称:第五次核物理会议
来源:第五次核物理会议资料汇编(上册)
出版年:1982
关键词:分离现象;凸面;应力场;晶体;
摘要:用低能4He 离子沟道和背散射方法分析400Gev 的高能粒子辐照弯曲和不弯曲硅单晶所引起的缺陷的浓度和类型,发现在弯曲晶体中,朝着束流一面(凸面)的缺陷是另一面(凹面)的许多倍,这种变形晶体的应力场使晶体中剩余缺陷的宏观分离现象具有许多重要的涵义:①提供把间隙性缺陷同空穴性缺陷分离开的可能性。②在离子注入合金或扩散层的边缘和内边界处产生较大的应力场可引起缺陷的分离,从而影响到缺陷在这些物质中的最终分布。③在晶体表面和交界面的应力场可能增强或阻碍缺陷从表面(或交界面)或向这些区域的移动。本文详细报告了观察到这种新物理现象的实验方法和实验结果。通过与能量有关的沟道测量,表明在张应力(凸面)时高能...
资源类型:会议论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=HWLX198211001050&DbName=CPFD2007
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