标题:锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究
作者:李天; 陈秀芳; 杨祥龙; 谢雪健; 张福生; 肖龙飞; 王荣堃; 徐现刚; 胡小波; 王瑞琪; 于芃
作者机构:[李天]山东大学;;全球能源互联网(山东)协同创新中心, 晶体材料国家重点实验室;;全球能源互联网(山东)协同创新中心, 济南;;济南, ;; 250100;;250061;[陈秀芳]山 更多
通讯作者:Li, T;Li, T;Chen, XiuFang
通讯作者地址:[Li, T]Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China;[Li, T]Collaborat Innovat Ctr Global Energy Interconnect, Jin 更多
来源:无机材料学报
出版年:2018
卷:33
期:5
页码:535-539
DOI:10.15541/jim20170256
关键词:物理气相传输法; Ge掺杂; 晶格匹配; 欧姆接触; 迁移率
摘要:采用物理气相传输(PVT)法生长了2英寸(1英寸=25.4 mm)锗氮(Ge-N)共掺和单一Ge掺杂碳化硅晶体材料,并制备成10 mm* 10; mm的SiC晶片。利用半导体工艺技术在不同衬底的碳面上制备钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)多层金属电极。使用二次离子质谱仪(SIMS)、霍尔测; 试仪(Hall)等测试手段对其表征。结果表明,Ge元素和N元素的共同掺杂可以有效提高SiC中Ge元素的掺杂浓度,Ge浓度可以达到1.19*10~; (19)/cm~3。所有晶片衬底均可以在不低于700℃的退火环境中形成欧姆接触,且在700℃时退火形成最佳欧姆接触。高浓度Ge掺杂衬底接触电阻明; 显小于低浓度Ge掺杂衬底接触电阻,这表明可以通过提高晶体中Ge元素浓度来提高器件性能。Hall测试结果表明,随着Ge掺杂浓度的升高,衬底迁移率会; 逐渐降低。这是由于Ge-N共掺后,SiC晶格匹配度提高,Ge元素的掺杂浓度变大,增加了杂质散射对迁移率的影响。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS;SCIE
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=WGCL201805009&DbName=CJFQPREP
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