标题:零声表面波频率温度系数方向的硅酸镓镧晶体生长
作者:张健;王继扬;于永贵;张怀金;王春雷;丛恒将
作者机构:[张健] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[王继扬] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[于永贵] 山东大学 更多
通讯作者:Wang, JY
来源:人工晶体学报
出版年:2010
卷:39
期:2
页码:379-383+400
关键词:硅酸镓镧; 晶体生长; 声表面波; 频率温度系数; 晶体切割利用率
摘要:采用提拉法生长了高质量、大尺寸、结构完整的声表面波零温度系数切向LGS晶体.XRD图谱显示,生长的晶体为单一相LGS晶体,晶格常数为a=0.81 6274 nm,c=0.509253 nm,密度为5.7463 g/cm3.压电常数、介电常数、热膨胀性能等与传统方向生长的晶体一致.用此方向生长的LGS晶体制作声表面波频率温度性能优化的切片,只需要垂直生长 方向进行切割,可以大大简化晶体的加工工艺、提高LGS晶体的利用率,节省材料成本.
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:2
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-77953152138&partnerID=40&md5=61b2da033a8758be17efe81773988b27
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