标题:脉冲偏压对磁控溅射制备ITO薄膜性能的影响
作者:王昆仑;辛艳青;
作者机构:[王昆仑;辛艳青]山东大学(威海)空间科学与物理学院
来源:真空
出版年:2018
期:02
页码:30-33
DOI:10.13385/j.cnki.vacuum.2018.02.08
关键词:ITO薄膜;磁控溅射;脉冲偏压;电学特性
摘要:室温下,利用脉冲偏压辅助射频磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了铟锡氧化物(ITO)薄膜。研究了当占空比为20%时,脉冲偏压大小对薄膜结构、形貌、光电特性的影响。实验结果表明:当偏压为40V时,薄膜(400)方向晶粒尺寸最大,为60.6nm,此时薄膜结晶程度最好,其电阻率和霍尔迁移率分别为3.78×10~(-4)Ω·cm、33.22 cm2·V~(-1)·s~(-1),可见光波段平均透过率为85%,性能优异。
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=ZKZK201802013&DbName=CJFQTEMP
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