标题:硼含量对含硼金刚石单晶电学性能的影响
作者:张娜;李木森;张元培;田斌
作者机构:[张娜] 山东大学, 材料液固结构演变与加工教育部重点实验室, 济南, 山东 250061, 中国.;[李木森] 山东大学, 材料液固结构演变与加工教育部重点实验室, 济南, 山东 更多
通讯作者:Li, MS(msli@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Li, M.-S] Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Shandong University, Jinan 250061, China;
来源:人工晶体学报
出版年:2010
卷:39
期:2
页码:295-298+303
关键词:含硼金刚石; 碳化硼; 高温高压合成; 电阻
摘要:采用碳化硼添加量不同的铁基触媒,在高温高压下合成含硼金刚石单晶.用数字电桥和自制的电阻测量夹具测量了含硼金刚石单晶的电阻;用阴极射线发光光谱测量 了金刚石单晶的光子频数;用XRD检测了不同硼含量掺杂的金刚石单晶的晶体结构.结果表明:随着触媒中碳化硼添加量的增加,含硼金刚石单晶的电阻率降低, 可呈现半导体电阻特性.其原因是硼元素的掺入促进了金刚石单晶的(111)晶面生长,使受主能级提高,晶体的带隙变窄,载流子浓度提高.
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:2
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-77953140452&partnerID=40&md5=6add261680fc5e38fd4f945592f4df85
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