标题:特殊形貌CdSe纳米晶的制备
作者:张居正[1];高善民[1,2];黄柏标[2];戴瑛[2];王菊[1];卢娟[1]
作者机构:[张居正] 鲁东大学化学与材料科学学院, 烟台, 山东 264025, 中国.;[王菊] 鲁东大学化学与材料科学学院, 烟台, 山东 264025, 中国.;[卢娟] 鲁东大学化学与材料科学 更多
通讯作者:Shanmin, G(gaosm@ustc.edu)
通讯作者地址:[Gao, SM]Ludong Univ, Sch Chem & Mat Sci, Yantai 264025, Peoples R China.
来源:化学进展
出版年:2010
卷:22
期:10
页码:1901-1910
关键词:CDSE;纳米晶;制备;形貌;
摘要:CdSe纳米晶是Ⅱ-Ⅵ族半导体中研究最多的材料之一。由于其发射波长随纳米晶的尺寸而改变,从而可以覆盖从绿到红的宽光谱范围,因此CdSe纳米晶可以应用于生物标记和荧光显示等领域,各种制备CdSe纳米晶的方法也应运而生。因制备方法的不同,所得CdSe纳米晶的粒径、相结构及形貌也不同,进而影响CdSe纳米晶的性质。本文归纳了7种典型的制备特殊形貌CdSe纳米晶的最新方法,并对各种方法的优缺点做了简单评价。最后,对这一领域未来的研究和发展方向做了展望。
收录类别:CSCD;SCOPUS;SCIE
WOS核心被引频次:2
Scopus被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-78649552838&partnerID=40&md5=bb151b8d1851cfd6c59c8f284944fb15
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