标题:光电化学刻蚀方法去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层及其表征
作者:孙丽;陈秀芳;张福生;于璨璨;赵显;徐现刚
作者机构:[孙丽;陈秀芳;张福生;于璨璨;赵显;徐现刚]山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250100,中国
通讯作者:Chen, Xiufang
来源:化工学报
出版年:2016
卷:67
期:10
页码:4356-4362
DOI:10.11949/j.issn.0438-1157.20160583
关键词:石墨烯;合成;碳化硅;缓冲层;电化学;光化学;
摘要:高温条件下裂解碳化硅(SiC)单晶,在直径5cm的4H-SiC(0001)面制备出单层石墨烯。利用光电化学刻蚀方法,使KOH刻蚀液与SiC发生反应,降低石墨烯与衬底之间的相互作用力,去掉原位生长过程中SiC衬底与石墨烯之间存在的缓冲层,获得准自由的双层石墨烯。首先通过对比不同的电流密度和光照强度,总结出电流密度为6mA·cm-2、紫外灯与样品间距为3cm时,石墨烯缓冲层的去除效率以及石墨烯质量皆为最佳。采用此优化后工艺处理的样品,拉曼光谱表明原位生长的缓冲层与衬底脱离,表现出准自由石墨烯的特性。X射线光电子能谱(XPS)C1s谱图中代表上层石墨烯与衬底Si悬键结合的S1、S2特征峰消失,即石墨烯缓冲层消失。通过分析刻蚀过程中的电化学曲线,提出了刻蚀过程的化学反应过程中的动态特性。
收录类别:EI
资源类型:期刊论文
原文链接:http://lib.cqvip.com/qk/90316X/201610/670244886.html
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