标题:MOCVD生长的GaN基LED的应力分析
作者:Zhang,Heng;Qu,Shuang;Wang,Chengxin;Hu,Xiaobo;Xu,Xiangang
作者机构:[张恒] 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[胡小波] 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[徐现刚] 山东大学晶体 更多
通讯作者:Xu, Xian-Gang(xxu@sdu.edu.cn)
通讯作者地址:[Xu, X.-G] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong UniversityChina;
来源:人工晶体学报
出版年:2015
卷:44
期:12
页码:3811-3815
DOI:10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2015.12.081
关键词:氮化镓; 金属有机化学气相沉积法; 翘曲度
摘要:使用金属有机化学气相沉积法在c轴蓝宝石衬底上制作了GaN基LED。研究了外延层厚度和n型层的生长速率对整个外延弯曲度、翘曲度及应力的影响。光致发 光(PL)光谱、FM100及拉曼(Raman)用于表征样品的特性。结果表明通过减薄外延层的厚度和降低n型层的生长速率,弯曲度、翘曲度及应力均得到 有效的降低。与此同时,外延片的波长均匀性得到了进一步的提高。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84960957665&partnerID=40&md5=c924211d27b96bd5d38d7b0eff5d761e
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