标题:掺质TGS晶体生长机制的探索研究
作者:王希敏,张春林,张克从,王民
作者机构:[王希敏,张春林,张克从,王民]北京工业大学环化系,山东大学晶体材料研究所
来源:人工晶体学报
出版年:1995
期:04
页码:284-290
关键词:掺质;TGS晶体;生长机制;溶液晶体生长;生长速率
摘要:本文采用水溶液降温法生长了6种掺质TGS晶体,掺质分别为有机小分子化合物:甲酸、乙酸、丙酸、丙醇、1,2-丙二醇和硫脲。研究了此6种掺质TGS晶体的生长形态,X-射线粉末衍射和红外光谱以及主要的热释电性能参数等。最后从氢键形成的观点出发,探索研究了掺质TGS晶体的生长机制。
资源类型:期刊论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=RGJT504.003&DbName=CJFQ1995
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