标题:近圆形光斑650nm半导体激光器的设计及制备
作者:朱振; 任夫洋; 邓桃; 夏伟; 徐现刚
作者机构:[朱振]山东华光光电子股份有限公司, 济南, 山东 250100, 中国;[任夫洋]山东华光光电子股份有限公司, 济南, 山东 250100, 中国;[邓桃]山东华光光电子股份有限公司 更多
来源:光电子·激光
出版年:2019
卷:30
期:9
页码:901-905
DOI:10.16136/j.joel.2019.09.0065
关键词:650nm激光器; 陡峭脊型; 基横模; 近圆形光斑
摘要:红光半导体激光器被广泛用于景观照明、塑料光纤通讯、空气质量检测和医疗等方面,但受限于其可靠性不高及光斑质量差的缺点,在制作点光源或耦合进光纤等方; 面增加了应用成本。为解决此问题,本文设计并制作了基横模工作的650nm脊型半导体激光器。结合AlGaInP材料的特点,我们使用极窄波导光场扩展结; 构,使光场渗入限制层,增加了光场扩展宽度,有效降低了激光器的垂直发散角。通过电感耦合等离子刻蚀技术得到陡峭的2mum宽度的窄脊型结构,然后通过湿; 法工艺去除损伤并腐蚀到阻挡层位置。干湿结合的工艺使得激光器能稳定地基横模输出。制作的激光器远场图形呈近圆形分布,克服了传统半导体激光器光斑狭长的; 缺点。功率测试在30mW以上没有出现功率曲线扭折,并且制作的激光器通过了60℃下10mW的老化测试,推算的平均失效时间(MTTF)大于18; 000h。
收录类别:CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85075192710&doi=10.16136%2fj.joel.2019.09.0065&partnerID=40&md5=f2a6fd136090ee08509a1470ac5e0755
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