专利名称:一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法
公开(公告)号:CN107059130A
公开(公告)日:2017-08-18
申请(专利权)人:山东大学
发明(设计)人:胡小波;徐现刚;杨祥龙;彭燕;陈秀芳
法律状态:审中-实质审查
摘要:本发明涉及一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法,包括外坩埚和坩埚盖,在外坩埚内设置有内坩埚,所述的内坩埚包括底部和侧壁,侧壁为双层侧壁,双层侧壁包括内壁和外壁,内壁上设置有贯穿内壁的小孔,双层侧壁上端口设置有密封内壁与外壁之间夹层的环形端盖。本发明的内坩埚将处于高温位置容易碳化的SiC粉料封闭于内坩埚的内壁与外壁之间的夹层中,粉料碳化后的微小碳颗粒不能输运到籽晶表面,同时内腔中的粉料对夹层中热解的气相起到过滤作用,避免了碳颗粒传输到SiC单晶表面,从而大大减少SiC单晶中的碳包裹体,生长得到厚度为20mm的SiC单晶无碳包裹体生成。
资源类型:专利
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