标题:立方氮化硼单晶生长界面层的精细结构
作者:许斌;张文;郭晓斐;吕美哲;苏海通;
作者机构:[许斌;张文;郭晓斐;吕美哲;苏海通]山东建筑大学材料科学与工程学院;[许斌;张文;郭晓斐;吕美哲;苏海通]山东大学材料科学与工程学院 更多
通讯作者:Xu, Bin
来源:人工晶体学报
出版年:2015
卷:44
期:4
页码:879-884
关键词:高温高压;;cBN;;生长界面层;;精细结构
摘要:以Li3N为触媒、六方氮化硼(hBN)为原料,采用静态高温高压法合成立方氮化硼(cBN)单晶。为探讨cBN合成机理,利用扫描电镜观察了cBN单晶生长界面层形貌,利用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对界面层精细结构进行了表征。结果表明,cBN单晶被合成后的触媒粉末所包裹,界面层中B、N元素相对比例基本保持不变,且随着距离cBN单晶越来越近,B、N元素的sp2杂化态逐渐减少,sp3杂化态逐渐增多,这说明hBN含量逐渐减少,而cBN含量逐渐增多。由于Li元素非常活泼,在高温高压体系中的电子结构极不稳定,故可以作为电子转移的桥梁,完成电子由N向B的转移。据此认为在cBN单晶生长界面层中,B、N元素的sp...
收录类别:EI;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84929716614&partnerID=40&md5=45139826ab247a3592559a5922963637
TOP