标题:PECVD法生长SiO_2薄膜工艺优化
作者:宋平;连洁;高尚;李萍;王晓;吴仕梁;马峥;
作者机构:[宋平;连洁;高尚;李萍;王晓;吴仕梁;马峥]山东大学信息科学与工程学院
会议名称:中国光学学会2010年光学大会
来源:中国光学学会2010年光学大会论文集
出版年:2010
关键词:薄膜;SiO2薄膜生长工艺优化;PECVD;椭偏仪;SiO2薄膜沉积速率;折射率
摘要:SiO2薄膜具有绝热性好、光透过率高、抗腐蚀能力强、良好的介电性质等特点,SiO2薄膜已广泛应用在制作电子器件和集成器件、光学薄膜器件、传感器等诸多领域。采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)方法,在GaAs衬底上制备SiO2非晶薄膜。采用椭偏仪作为主要测量工具,研究了不同生长时间、压力、气体流量比等条件下SiO2薄膜沉积速率、折射率的变化规律。并对SiO2薄膜的生长工艺进行分析,从而得到SiO2薄膜生长的优化条件,使SiO2薄膜的生长工艺更具有实用价值。
资源类型:会议论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=ZGGY201008001280&DbName=CPFD2012
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