标题:高质量N 型SiC 单晶生长及其器件应用
作者:杨祥龙;杨昆;陈秀芳;彭燕;胡小波;徐现刚;李赟;赵志飞
作者机构:[杨祥龙] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[杨昆] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[陈秀芳] 山东大学 更多
通讯作者地址:[Chen, X.-F] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong UniversityChina
来源:人工晶体学报
出版年:2015
卷:44
期:6
页码:1427-1431
关键词:碳化硅; 物理气相传输; 外延; 肖特基二极管
摘要:采用物理气相传输法在(0001)面偏向< 11 - 20 > 方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶。结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高 结晶质量的低电阻率4H-SiC 单晶。在加工的epi-readySiC 衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面。利用该外延材料研制了600V/10 A SiC 肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67%。另外研制了600 V/50 A SiC 肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
Scopus被引频次:1
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84937543613&partnerID=40&md5=8f9d76efa48e158ea5ae4b09ab6cc564
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