标题:ET类分子导体3d轨道对晶体能带及导电性的影响
作者:刘国群,雷虹,方奇
作者机构:[刘国群] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[方奇] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[雷虹] 山东大学信 更多
通讯作者地址:[Fang, Q]Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.
来源:化学学报
出版年:2004
卷:62
期:1
页码:10-15
关键词:能带结构;ET类分子导体;导电性
摘要:采用扩展休克尔 -紧束缚方法 (EHTB)研究了ET类分子导体 [ET =bis (ethylenedithio) tetrathiafulvalene]的能带 .讨论了硫原子 3d轨道对能带结构的影响 ,添加 3d轨道导致ET分子柱间的横向作用大为增强 ,并与纵向作用处于同一数量级 ,这一结论解释了晶体二维导电性的实验结果 .计算得到 (ET) 2 C3 H5SO3 ·H2 O ,(ET) 2 HgCl3 ·TCE两个晶体的带隙分别为0 5 79,0 .5 72eV ,与实验得到的导电激活能 0 .3 19,0 .3 0 8eV符合较好 .
收录类别:CSCD;SCOPUS;SCIE
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-33750386741&partnerID=40&md5=8a64a5646c3c507ca3a3437a5714093e
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