标题:物理气相传输法制备SiC 单晶中碳包裹物研究
作者:Yang,Kun;Yang,Xianglong;Cui,Yingxin;Peng,Yan;Chen,Xiufang;Hu,Xiaobo;Xu,Xiangang
作者机构:[杨昆] 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[杨祥龙] 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.;[崔潆心] 山东大学晶体 更多
通讯作者:Xu, Xian-Gang
通讯作者地址:[Xu, X.-G] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong UniversityChina
来源:人工晶体学报
出版年:2014
卷:43
期:7
页码:1602-1606
关键词:物理气相传输; 碳包裹物; 质量输运; 形成机制
摘要:使用物理气相传输方法(PVT)生长出3英寸4H-SiC 单晶。在生长过程中通过在粉料表面放置分布有多个贯穿孔的石墨片,在粉料表面有意引入具有一定分布规律的碳颗粒。在生长后的单晶中能够观察到与石墨片贯穿 孔分布相似的包裹物分布。通过对实验结果分析,提出了碳包裹物的形成机制,作者认为生长过程中生长腔内产生的碳颗粒是单晶中碳包裹物的重要来源。并根据该 分析进一步提出了减少PVT 方法制备SiC 单晶中碳包裹物的方法。
收录类别:EI;CSCD;SCOPUS
资源类型:期刊论文
原文链接:https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84906738135&partnerID=40&md5=2cb61a51f83caea9915cff05a68bf55d
TOP