标题:升华法生长碳化硅单晶原生小面的宏观形态与微观形貌研究
作者:崔潆心;徐现刚;胡小波;
作者机构:[崔潆心;徐现刚;胡小波]山东大学
会议名称:第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
来源:第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
出版年:2015
关键词:碳化硅;原生小面;微管结构
摘要:采用激光显微镜偏光拼接技术以及原子力显微镜AFM对升华法生长的4H、6H-SiC单晶进行了原生小面的宏观形态以及微观结构观察和测试,研究发现4H-SiC原生小面趋向于六边形的生长台阶而6H-SiC原生小面趋向于圆形的生长台阶。基于Jackson模型,从热力学角度计算了4H、6H-SiC单晶的Jackson因子a分别为33.34和32.05,故4H、6H-SiC单晶原生小面宏观形貌的差异是生长界面的粗糙程度引起的。原生小面的微管缺陷是生长台阶的生长源,以微管为中心散发出数条螺旋生长台阶。微管直径分布在760nm~6.0μm之间;微管直径与伯格斯矢量平方值D/b~2分布在11.1~23.6nm~(...
资源类型:会议论文
原文链接:http://kns.cnki.net/kns/detail/detail.aspx?FileName=EUGQ201508002329&DbName=CPFD2015
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