徐现刚 + 关注学者
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1. Uniform coverage of quasi-free standing monolayer graphene on SiC by hydrogen intercalation EI SCIE SCOPUS

作者:Yu, CC;Chen, XF;Zhang, FS;Sun, L;Li, T;Xu, XG;Zhao, X

作者机构:[Yu, Cancan; Chen, Xiufang; Zhang, Fusheng; Sun, Li; Li, Tian; Xu, Xiangang; Zhao, Xian] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.

来源:JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,2017,Vol.28,Issue.4,3884-3890

最新影响因子:2.019

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 0

2. Graphene-assisting photo-electrochemical etching of 4H-SiC EI SCOPUS

作者:Sun L.;Chen X.;Zhang F.;Yu C.;Zhao X.;Xu X.;Zhang Y.;Wang R.

作者机构:[Sun, Li ;Chen, Xiufang ;Zhang, Fusheng ;Yu, Cancan ;Zhao, Xian ;Xu, Xiangang ] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan; 250199, China;[Zhang, Yong ;Wang, Ruiqi ] State Grid Shandogn Electric Power Research Institute, Jinan; 250001, China;[Sun, Li ;Chen, Xiufang ;Zhang, Fusheng ;Yu, Cancan ;Zhao, Xian ;Xu, Xiangang ;Zhang, Yong ;Wang, Ruiqi ] Collaborative Innovation Center for Global Energy Interconnection (Shandong), Jinan; 250061, China

来源:2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China, IFWS 2016 - Conference Proceedings,2016,27-30

资源类型:外文期刊论文;外文会议论文

3. Large-area uniform epitaxial graphene on SiC by optimizing temperature field EI SCOPUS

作者:Zhang F.;Chen X.;Yu C.;Sun L.;Xu X.;Hu X.;Li T.;Zhao X.;Zhang Y.;Wang R.

作者机构:[Zhang, Fusheng ;Chen, Xiufang ;Yu, Cancan ;Sun, Li ;Xu, Xiangang ;Hu, Xiaobo ;Li, Tian ;Zhao, Xian ] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan; 250100, China;[Zhang, Yong ;Wang, Ruiqi ] State Grid Shandong Electric Power Research Institute, Jinan; 250001, China;[Zhang, Fusheng ;Chen, Xiufang ;Yu, Cancan ;Sun, Li ;Xu, Xiangang ;Hu, Xiaobo ;Li, Tian ;Zhao, Xian ;Zhang, Yong ;Wang, Ruiqi ] Collaborative Innovation Center for Global Energy Interconnection (Shandong), Jinan; 250061, China

来源:2016 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China, IFWS 2016 - Conference Proceedings,2016,54-57

资源类型:外文期刊论文;外文会议论文

4. Temperature and doping dependence of the Raman scattering in 4H-SiC SCOPUS SCIE EI

作者:Peng, Y;Hu, XB;Xu, XG;Chen, XF;Peng, J;Han, JS;Dimitrijev, S

作者机构:[Peng, Yan; Hu, Xiaobo; Xu, Xiangang; Chen, Xiufang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, 27 Shanda Nan Rd, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.; [Peng, Juan] China Univ Min & Technol, Dept Phys, 1 DaXue Rd, Xuzhou 221116, Jiangsu, Peoples R China.; [Han, Jisheng; Dimitrijev, Sima] Griffith Univ, Queensland Micro & Nanotechnol Ctr, Nathan Campus, Nathan, Qld 4111, Australia.

来源:OPTICAL MATERIALS EXPRESS,2016,Vol.6,Issue.9,2725-2733

JCR分区:Q2

最新影响因子:2.591

当年影响因子:2.591

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 0

5. Graphene-assistingPhoto-electrochemical Etching of 4H-SiC CPCI-S

作者:Sun, L;Chen, XF;Zhang, FS;Yu, CC;Zhao, X;Xu, XG;Zhang, Y;Wang, RQ

作者机构:[Sun, Li; Chen, Xiufang; Zhang, Fusheng; Yu, Cancan; Zhao, Xian; Xu, Xiangang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250199, Peoples R China.; [Sun, Li; Chen, Xiufang; Zhang, Fusheng; Yu, Cancan; Zhao, Xian; Xu, Xiangang; Zhang, Yong; Wang, Ruiqi] Collaborat Innovat Ctr Global Energy Interconnect, Jinan 250061, Peoples R China.; [Zhang, Yong; Wang, Ruiqi] State Grid Shandogn Elect Power Res Inst, Jinan 250001, Peoples R China.

会议名称:13th China International Forum on Solid State Lighting / International; Forum on Wide Bandgap Semiconductors China (SSLChina - IFWS)

会议日期:NOV 15-17, 2016

来源:2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING:; INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA:; IFWS),2016,27-30

资源类型:外文会议论文

WOS被引频次: 0

6. Large-area Uniform Epitaxial Graphene on SiC by Optimizing Temperature Field CPCI-S

作者:Zhang, FS;Chen, XF;Yu, CC;Sun, L;Xu, XG;Hu, XB;Li, T;Zhao, X;Zhang, Y;Wang, RQ

作者机构:[Zhang, Fusheng; Chen, Xiufang; Yu, Cancan; Sun, Li; Xu, Xiangang; Hu, Xiaobo; Li, Tian; Zhao, Xian] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.; [Zhang, Fusheng; Chen, Xiufang; Yu, Cancan; Sun, Li; Xu, Xiangang; Hu, Xiaobo; Li, Tian; Zhao, Xian; Zhang, Yong; Wang, Ruiqi] Collaborat Innovat Ctr Global Energy Interconnect, Jinan 250061, Peoples R China.; [Zhang, Yong; Wang, Ruiqi] State Grid Shandong Elect Power Res Inst, Jinan 250001, Peoples R China.

会议名称:13th China International Forum on Solid State Lighting / International; Forum on Wide Bandgap Semiconductors China (SSLChina - IFWS)

会议日期:NOV 15-17, 2016

来源:2016 13TH CHINA INTERNATIONAL FORUM ON SOLID STATE LIGHTING:; INTERNATIONAL FORUM ON WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS CHINA (SSLCHINA:; IFWS),2016,54-57

资源类型:外文会议论文

WOS被引频次: 0

7. 高质量半绝缘φ150mm 4H-SiC单晶生长研究 知网 维普

作者:彭燕;陈秀芳;彭娟;胡小波;徐现刚

作者机构:[彭燕;陈秀芳;胡小波;徐现刚]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;[彭娟]中国矿业大学,徐州221116;[彭燕;陈秀芳;胡小波;徐现刚]全球能源互联网(山东)协同创新中心,济南250061

来源:人工晶体学报,2016,Issue.5

关键词:φ150;MM;4H-SiC;数值模拟;PVT法

资源类型:中文期刊论文

8. 高质量半绝缘?150 mm 4H-SiC单晶生长研究 CSCD

作者:彭燕;陈秀芳;彭娟;胡小波;徐现刚

作者机构:[彭燕]山东大学, 晶体材料国家重点实验室;;全球能源互联网(山东) 协同创新中心, 济南, 山东 250100, 中国;[陈秀芳]山东大学, 晶体材料国家重点实验室;;全球能源互联网(山东) 协同创新中心, 济南, 山东 250100, 中国;[胡小波]山东大学, 晶体材料国家重点实验室;;全球能源互联网(山东) 协同创新中心, 济南, 山东 250100, 中国;[徐现刚]山东大学, 晶体材料国家重点实验室;;全球能源互联网(山东) 协同创新中心, 济南, 山东 250100, 中国;[彭娟](徐州)中国矿业大学, 徐州, 江苏 221116, 中国.

来源:人工晶体学报,2016,Vol.45,Issue.5,1145-1152

关键词:数值模拟; PVT法

资源类型:中文期刊论文

WOS被引频次: 1

9. Chemical mechanical polishing of 4H-SiC with strong oxidizing slurry EI SCOPUS

作者:Liang Q.-R.;Hu X.-B.;Chen X.-F.;Xu X.-G.;Zong Y.-M.;Wang X.-J.

作者机构:[Liang, Qing-Rui ;Hu, Xiao-Bo ;Chen, Xiu-Fang ;Xu, Xian-Gang ] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China;[Liang, Qing-Rui ;Zong, Yan-Min ;Wang, Xi-Jie ] SICC Materials Co., Ltd, Jinan, China

来源:Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals,2015,Vol.44,Issue.7,1741-1747

资源类型:外文期刊论文

10. Infrared transmission and reflectivity measurements of 4H- and 6H-SiC single crystals EI SCOPUS

作者:Cuia Y.X.; Hub X.B.; Xuc X.G.

作者机构:[Cuia, Ying Xin ;Hub, Xiao Bo ;Xuc, Xian Gang ] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China

来源:Materials Science Forum,2015,Vol.821-823,265-268

最新影响因子:0.399

资源类型:外文期刊论文;外文会议论文

11. Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces EI SCOPUS

作者:Yang X.L.;Yang K.;Chen X.F.;Peng Y.;Hu X.B.;Xu X.G.

作者机构:[Yang, Xiang Long ;Yang, Kun ;Chen, Xiu Fang ;Peng, Yan ;Hu, Xiao Bo ;Xu, Xian Gang ] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China

来源:Materials Science Forum,2015,Vol.821-823,68-72

最新影响因子:0.399

资源类型:外文期刊论文;外文会议论文

12. 高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度 知网 万方 维普 CSCD SCIE

作者:崔潆心;徐明升;徐现刚;胡小波

作者机构:[崔潆心;徐明升;徐现刚;胡小波]山东大学晶体材料国家重点实验室

来源:无机材料学报,2015,Vol.30,Issue.10,1094-1098

关键词:氮化镓薄膜;高分辨X射线衍射;位错密度;

JCR分区:Q3

当年影响因子:0.551

最新一期影响因子:0.444

ESI学科:MATERIALS SCIENCE

资源类型:中文期刊论文;外文期刊论文

WOS被引频次: 0

13. 4H-SiC的强氧化液化学机械抛光 维普 CSCD

作者:梁庆瑞;胡小波;陈秀芳;徐现刚;宗艳民;王希杰

作者机构:[梁庆瑞]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国;[胡小波]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国;[陈秀芳]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国;[徐现刚]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国;[宗艳民]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国;[王希杰]山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 中国.

来源:人工晶体学报,2015,Vol.44,Issue.7,1741-1747

关键词:碳化硅; 化学机械抛光; 高锰酸钾; 粗糙度; 去除率

资源类型:中文期刊论文

WOS被引频次: 0

14. 高质量N 型SiC 单晶生长及其器件应用 知网 维普 CSCD

作者:杨祥龙;杨昆;陈秀芳;彭燕;胡小波;徐现刚;李赟;赵志飞

作者机构:[杨祥龙]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国;[杨昆]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国;[陈秀芳]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国;[彭燕]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国;[胡小波]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国;[徐现刚]山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国;[李赟]中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京, 江苏 210000, 中国;[赵志飞]中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京, 江苏 210000, 中国.

来源:人工晶体学报,2015,Vol.44,Issue.6,1427-1431

关键词:碳化硅; 物理气相传输; 外延; 肖特基二极管

资源类型:中文期刊论文

WOS被引频次: 0

15. 一种仿碧玺的合成碳硅石宝石及其制备方法 专利

公开(公告)号:CN104018213A

授权公告日:2014-09-03

申请(专利权)人:山东大学

发明(设计)人:付芬;徐现刚;胡小波;陈秀芳;彭燕

作者机构:[付芬;徐现刚;胡小波;陈秀芳;彭燕][付芬;徐现刚;胡小波;陈秀芳;彭燕]山东大学

资源类型:专利

16. 一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法 专利

公开(公告)号:CN103543397A

授权公告日:2014-01-29

申请(专利权)人:山东大学

发明(设计)人:杨祥龙;彭燕;徐现刚;胡小波;杨昆;陈秀芳;崔潆心

作者机构:[杨祥龙;彭燕;徐现刚;胡小波;杨昆;陈秀芳;崔潆心][杨祥龙;彭燕;徐现刚;胡小波;杨昆;陈秀芳;崔潆心]山东大学

资源类型:专利

17. 一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法 专利

公开(公告)号:CN103590101A

授权公告日:2014-02-19

申请(专利权)人:山东大学

发明(设计)人:陈秀芳;徐现刚;彭燕;胡小波

作者机构:[陈秀芳;徐现刚;彭燕;胡小波][陈秀芳;徐现刚;彭燕;胡小波]山东大学

资源类型:专利

18. Carbon inclusions in silicon carbide single crystals grown by physical vapor transport method EI SCOPUS

作者:Yang K.;Yang X.-L.;Cui Y.-X.;Peng Y.;Chen X.-F.;Hu X.-B.;Xu X.-G.

作者机构:[Yang, Kun ;Yang, Xiang-Long ;Cui, Ying-Xin ;Peng, Yan ;Chen, Xiu-Fang ;Hu, Xiao-Bo ;Xu, Xian-Gang ] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, China

来源:Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals,2014,Vol.43,Issue.7,1602-1606

资源类型:外文期刊论文

19. Bubbles distribution in sapphire crystal grown by Kyropoulos method EI SCOPUS

作者:Yu G.-J.;Zong Y.-M.;Zhang Z.-H.;Gao Y.-Q.;Hu X.-B.;Xu X.-G.

作者机构:[Yu, Guo-Jian ;Hu, Xiao-Bo ;Xu, Xian-Gang ] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China;[Yu, Guo-Jian ;Zong, Yan-Min ;Zhang, Zhi-Hai ;Gao, Yu-Qiang ] SICC Materials Co., Ltd, Jinan 250111, China

来源:Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals,2014,Vol.43,Issue.6,1332-1335

资源类型:外文期刊论文

20. Anomalous Resistivity in Vanadium-Doped Semi-Insulating 4H-SiC Wafers SCOPUS SCIE EI

作者:Yang, XL;Yang, K;Cui, YX;Peng, Y;Chen, XF;Xie, XJ;Hu, XB;Xu, XG

作者机构:[Yang, Xianglong; Yang, Kun; Cui, Yingxin; Peng, Yan; Chen, Xiufang; Xie, Xuejian; Hu, Xiaobo; Xu, Xiangang] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan 250100, Peoples R China.

来源:ACTA METALLURGICA SINICA-ENGLISH LETTERS,2014,Vol.27,Issue.6,1083-1087

JCR分区:Q3

最新影响因子:1.292

当年影响因子:0.727

资源类型:外文期刊论文

WOS被引频次: 0

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