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1. Fabrication and properties of wafer-scale nanoporous GaN distributed Bragg reflectors with strong phase-separated InGaN/GaN layers EI SCOPUS SCIE

作者:Zhao, Chongchong; Yang, Xiaokun; Shen, Luyang; Luan, Caina; Liu, Jianqiang; Ma, Jin; Xiao, Hongdi

作者机构:[Zhao, Chongchong; Yang, Xiaokun; Shen, Luyang; Luan, Caina; Ma, Jin; Xiao, Hongdi] Shandong Univ, Sch Microelect, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.; [Liu, Jianqiang] Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.

来源:JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2019,Vol.789,658-663

资源类型:期刊论文

WOS:000464542700076

2. Lift-Off Mechanism of GaN Thin Films with Buried Nanocavities Investigated by SEM and TEM SCOPUS SCIE

作者:Yang, Xiaokun; Gao, Qingxue; Cao, Dezhong; Mao, Hongzhi; Zhao, Chongchong; Luan, Caina; Liu, Jianqiang; Ma, Jin; Xiao, Hongdi

作者机构:[Yang, Xiaokun; Gao, Qingxue; Cao, Dezhong; Zhao, Chongchong; Luan, Caina; Ma, Jin; Xiao, Hongdi] Shandong Univ, Sch Microelect, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.; [Cao, Dezhong; Liu, Jianqiang] Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.; [Mao, Hongzhi] Shandong Univ, Sch Chem & Chem Engn, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.

来源:JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,2019,Vol.48,Issue.5,3036-3042

资源类型:期刊论文

WOS:000463713100047

3. A unipolar nano-diode detector with improved performance using the high-k material SiNx SCOPUS SCIE

作者:Zhang, Linqing; Zhou, Haiping; Zhang, Jiawei; Wang, Qingpu; Zhang, Yifei; Song, Aimin

作者机构:[Zhang, Linqing; Zhang, Jiawei; Song, Aimin] Univ Manchester, Sch Elect & Elect Engn, Manchester, Lancs, England.; [Zhou, Haiping] Univ Glasgow, Sch Engn, Glasgow, Lanark, Scotland.; [Wang, Qingpu; Zhang, Yifei; Song, Aimin] Shandong Univ, Ctr Nanoelect, Jinan, Shandong, Peoples R China.; [Wang, Qingpu; Zhang, Yifei; Song, Aimin] Shandong Univ, Sch Microelect, Jinan, Shandong, Peoples R China.; [Song, Aimin] Shandong Univ, State Key Lab Crystal Mat, Jinan, Shandong, Peoples R China.

来源:SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2018,Vol.33,Issue.11

资源类型:期刊论文

WOS:000456527500006

4. Fabrication, annealing, and regrowth of wafer-scale nanoporous GaN distributed Bragg reflectors EI SCOPUS SCIE

作者:Yang, Xiaokun; Xiao, Hongdi; Cao, Dezhong; Zhao, Chongchong; Shen, Lvyang; Ma, Jin

作者机构:[Yang, Xiaokun; Xiao, Hongdi; Cao, Dezhong; Zhao, Chongchong; Shen, Lvyang; Ma, Jin] Shandong Univ, Sch Microelect, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.

来源:SCRIPTA MATERIALIA,2018,Vol.156,10-13

资源类型:期刊论文

WOS:000442190300003

5. Determination of the polarization and strain distribution in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors EI SCOPUS SCIE

作者:Yang, Ming; Lv, Yuanjie; Cui, Peng; Liu, Yan; Fu, Chen; Lin, Zhaojun

作者机构:[Yang, Ming; Cui, Peng; Liu, Yan; Fu, Chen; Lin, Zhaojun] Shandong Univ, Sch Microelect, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.; [Lv, Yuanjie] Hebei Semicond Res Inst, Natl Key Lab Applicat Specif Integrated Circuit A, Shijiazhuang 050051, Hebei, Peoples R China.

来源:JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS,2018,Vol.123,223-227

资源类型:期刊论文

WOS:000446145300028

6. Influence of polarization Coulomb field scattering on high-temperature electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors EI SCOPUS SCIE

作者:Liu, Yan; Lin, Zhaojun; Cui, Peng; Fu, Chen; Lv, Yuanjie; Cheng, Zhiqun

作者机构:[Liu, Yan; Cheng, Zhiqun] Hangzhou Dianzi Univ, Coll Elect & Informat, Hangzhou 310018, Zhejiang, Peoples R China.; [Lin, Zhaojun; Cui, Peng; Fu, Chen] Shandong Univ, Sch Microelect, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.; [Lv, Yuanjie] Hebei Semicond Res Inst, Natl Key Lab Applicat Specif Integrated Circuit A, Shijiazhuang 050051, Hebei, Peoples R China.

来源:SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,2018,Vol.120,389-394

资源类型:期刊论文

WOS:000445713700048

7. First-principles study of heavily B-doped silicon EI SCOPUS SCIE

作者:Long, R;Dai, Y;Huang, BB;Sun, XQ

作者机构:[Long, R] School of Physics and Microelectronic, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China;[ Dai, Y] School of Physics and Microelectronic, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China;[ Huang, B] School of Physics and Microelectronic, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China;[ Sun, X] School of Physics and Microelectronic, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China

来源:Computational Materials Science,COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE,2008,Vol.42,Issue.1,161-167

WOS被引数:9

资源类型:期刊论文

WOS:000254463100022

8. 分子结点电子输运性质的理论研究 EI SCOPUS SCIE

作者:牛秀明;齐元华;

作者机构:[牛秀明]山东医学高等专科学校;[齐元华]山东大学物理与微电子学院

来源:物理学报,ACTA PHYSICA SINICA,2008,Vol.57,Issue.11,6926-6931

WOS被引数:3

资源类型:期刊论文

WOS:000260946500036

9. 氮化硼纳米管气敏特性的理论研究 CSCD SCOPUS SCIE

作者:胡承忠;李峰;刘向东;

作者机构:[胡承忠] 泰山学院物理与电子科学系, 泰安, 山东 271021, 中国.;[李峰] 泰山学院物理与电子科学系, 泰安, 山东 271021, 中国.;[刘向东] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国

来源:化学学报,ACTA CHIMICA SINICA,2008,Vol.66,Issue.14,1641-1646

WOS被引数:4

资源类型:期刊论文

WOS:000258702400007

10. CO分子结点电子结构和输运性质的第一原理研究 CSCD SCOPUS SCIE

作者:牛秀明;齐元华;

作者机构:[牛秀明] 山东医学高等专科学校药学系, 济南, 山东 250002, 中国.;[齐元华] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国

来源:化学学报,ACTA CHIMICA SINICA,2008,Vol.66,Issue.6,652-656

资源类型:期刊论文

WOS:000255103800011

11. DKDP晶体的拉曼散射谱分析 EI CSCD SCOPUS SCIE

作者:赵朋[1,2];夏海瑞[2];凌宗成[2];王培吉[1];苏燕[1];张仲[1]

作者机构:[赵朋] 济南大学理学院, 济南, 山东 250022, 中国.;[王培吉] 济南大学理学院, 济南, 山东 250022, 中国.;[苏燕] 济南大学理学院, 济南, 山东 250022, 中国.;[张仲] 济南大学理学院, 济南, 山东 250022, 中国.;[夏海瑞] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[凌宗成] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国

来源:光谱学与光谱分析,SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS,2007,Vol.27,Issue.2,292-294

资源类型:期刊论文

WOS:000244998400022

12. Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构特性研究 EI SCOPUS SCIE

作者:张锡健;马洪磊;王卿璞;马瑾;

作者机构:[张锡健;马洪磊;王卿璞;马瑾]山东大学物理与微电子学院,山东大学物理与微电子学院,山东大学物理与微电子学院,山东大学物理与微电子学院 济南 250100,济南 250100,济南 250100,济南 250100

来源:无机材料学报,JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS,2006,Vol.21,Issue.1,235-238

资源类型:期刊论文

WOS:000235420900039

13. S2O激发态((C)1A\\\')振动光谱及势能面的一种代数研究 CSCD SCIE

作者:王晓艳;丁世良;王鹏程;谢晋东;仲伟纲

作者机构:[王晓艳] 泰山医学院放射学院物理教研室, 泰安, 山东 271000, 中国.;[王鹏程] 泰山医学院放射学院物理教研室, 泰安, 山东 271000, 中国.;[谢晋东] 泰山医学院放射学院物理教研室, 泰安, 山东 271000, 中国.;[仲伟纲] 泰山医学院放射学院物理教研室, 泰安, 山东 271000, 中国.;[丁世良] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国

来源:化学物理学报,CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS,2006,Vol.19,Issue.1,43-46

资源类型:期刊论文

WOS:000236175100010

14. FeCuCrVSiB单层和多层膜的横向巨磁阻抗效应 EI SCOPUS SCIE

作者:王文静[1];袁慧敏[1];姜山[1];萧淑琴[1,2];颜世申[1]

作者机构:[王文静;袁慧敏;姜山;萧淑琴;颜世申]山东大学物理与微电子学院,济南250100,中国.;[萧淑琴]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100,中国

来源:物理学报,ACTA PHYSICA SINICA,2006,Vol.55,Issue.11,6108-6112

WOS被引数:5

资源类型:期刊论文

WOS:000241880000089

15. 矫顽力可调的多孔硅基Fe膜 EI SCOPUS SCIE

作者:邱学军[1];张云鹏[2];何正红[1];白浪[1];刘国磊[2];王跃[1];陈鹏[1];熊祖洪[1]

作者机构:[邱学军;何正红;白浪;王跃;陈鹏;熊祖洪]西南大学物理学院,重庆400715,中国.;[张云鹏;刘国磊]山东大学物理与微电子学院,济南250100,中国

来源:物理学报,ACTA PHYSICA SINICA,2006,Vol.55,Issue.11,6101-6107

WOS被引数:2

资源类型:期刊论文

WOS:000241880000088

16. 红外区Dyson—Schwinger方程的两种重整化方案的比较 EI SCOPUS SCIE

作者:石远美[1];平加伦[1,2];何汉新[3]

作者机构:[石远美;平加伦]南京师范大学物理系和理论物理研究所,南京210097,中国.;[平加伦]山东大学物理与微电子学院,济南250100,中国.;[何汉新]中国原子能科学研究院,北京102413,中国

来源:高能物理与核物理,HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION,2006,Vol.30,Issue.9,833-837

资源类型:期刊论文

WOS:000240207200004

17. T9型窄间隙室探测器的研制与探测效率测试 EI CSCD SCOPUS SCIE

作者:闫真;冯存峰;祝成光;孙延生;张乃健;何瑁;

作者机构:[闫真] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[冯存峰] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[祝成光] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[孙延生] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[张乃健] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[何瑁] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国

来源:高能物理与核物理,HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION,2006,Vol.30,Issue.1,52-56

资源类型:期刊论文

WOS:000234460500010

18. Synthesis and optical properties of Co2+-doped ZnGa2O4 nanocrystals EI SCOPUS SCIE

作者:Duan XL;Yuan DR;Wang LH;Yu FP;Cheng XF;Liu ZQ;Yan SS

作者机构:[Duan, X.L] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China;[ Yuan, D.R] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China;[ Wang, L.H] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China;[ Yu, F.P] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China;[ Cheng, X.F] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China;[ Liu, Z.Q] State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China;[ Yan, S.S] School of Physics and Microelectronic, Shandong University, Jinan, 250100, China

来源:Journal of Crystal Growth,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2006,Vol.296,Issue.2,234-238

WOS被引数:38

资源类型:期刊论文

WOS:000242325300017

19. 共溶剂对ZnO多孔纳米块体孔径均匀性的影响 EI CSCD SCOPUS SCIE

作者:李梅;孙海燕;刘秀琳;徐红燕;王成建;崔得良;蒋民华;

作者机构:[李梅] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室,中国.;[孙海燕] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室,中国.;[徐红燕] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室,中国.;[崔得良] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室,中国.;[蒋民华] 山东大学, 晶体材料国家重点实验室,中国.;[刘秀琳] 中国民航学院理学院, 天津 300300, 中国.;[王成建] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国

来源:高等学校化学学报,CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES-CHINESE,2006,Vol.27,Issue.3,414-418

WOS被引数:1

资源类型:期刊论文

WOS:000236261100005

20. 真空退火对溅射淀积ZnO:Ga透明导电膜性能的影响 EI CSCD SCOPUS SCIE

作者:马瑾,余旭浒,计峰,王玉恒,张锡健,程传福,马洪磊

作者机构:[马瑾] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[余旭浒] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[计峰] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[王玉恒] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[张锡健] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[马洪磊] 山东大学物理与微电子学院, 济南, 山东 250100, 中国.;[程传福] 山东师范大学物理系, 济南, 山东 250014, 中国

来源:稀有金属材料与工程,RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING,2005,Vol.34,Issue.7,1166-1168

WOS被引数:5

资源类型:期刊论文

WOS:000231868200041

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